檢索結果：共57筆資料 檢索策略： "材料科學與工程系".cdept (精準) and cadvisor.raw="周賢鎧"
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鐵錳鋁合金鋼為學術界研發中的不鏽鋼，具有取代傳統鎳鉻系不鏽鋼的潛力，而相變化為研究錳鋁合金鋼的基礎。本論文則是研究成分為鐵-28.5錳-8.8鋁-0.098碳(wt.%)的合金A與鐵-19.6錳-7…
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本論文使用磁控式濺鍍系統沈積為薄膜生成的主要製程，結合製程技術快速且低氧化溫度之電漿氧化製程，製備本實驗所需之太陽能選擇性吸收膜，並探討其吸收膜之光學性質及結晶結構。第一部份實驗為沈積一層Cu薄膜在…
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本研究聚焦以 α-氮化碳 (Alpha carbon nitride, α-C3N4) 作為介電層，應用於雙極電阻式記憶體 (Bipolar Resistive Random Access …
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本研究利用共濺鍍系統沉積出TaN(Cu)的混合薄膜，並使用電漿氧化的方式直接氧化下電極製作出中間電阻層，之後再沉積出TaN薄膜當作上電極，製備出TaN/Cu-TaOx/TaN(Cu)的MIM三層結構…
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本論文的研究內容可以分成三個階段來探討，第一階段是利用SLS機制直接於矽基材上成長矽奈米線，實驗採用金顆粒作為催化劑，並使用石英管爐通入氫氬混合氣後加熱至850 ℃以上來成長矽奈米線，並改變溫度與持…
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本論文之目的是在多孔矽上堆疊氧化鋅，藉由結合多孔矽與氧化鋅兩種發光材料，以研製出能發白光的機構。 多孔矽以陽極蝕刻法生成，基材為n型矽晶片，當氫氟酸濃度在12%，照度維持2.5 mW/cm2，電流密…
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中文摘要 本論文研究在氧化鋁基材上利用網印法塗佈高溫銀膠，經高溫燒結後作為電極，接著以真空磁控濺鍍法於其上成長鈷薄膜，再於不同氣氛下以加熱板直接加熱使其表面產生微奈米結構氧化鈷，以提高其比表面積，製…
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本研究分為兩個部分，第一部分為使用反應式濺鍍法(Reactive sputtering)沉積摻釩之類鑽碳薄膜(V-DLC)，透過改變工作壓力調整V-DLC薄膜的表面形貌和結構，藉由SEM、R…
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本論文研究主要分為兩大部分，第一部份以Ni-YSZ碟型基材作為陽極支撐(anode-supported)，第二部份以YSZ碟型基材作為電解質支撐(electrolyte -supported)，利用…
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本篇論文研究以Al作為上下電極，使用ZrO2以及NiO作為主要之中間層，製備 電阻式記憶體元件，並透過調節ZrO2與NiO之比例以及鍍膜時氧氣之通量來改善元 件之性質。 當元件之介電層使用ZrO2時…